電阻加熱蒸發(fā)源

優(yōu)點(diǎn):

1. 結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、造價低廉,因此使用普遍;

2. 可蒸發(fā)蒸發(fā)溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬,蒸發(fā)一些硫化物、氟化物和某些氧化物.
   

要求:

1.蒸發(fā)源材料的自身熔點(diǎn)要高;

2.飽和蒸汽壓要低;

3.化學(xué)性能要穩(wěn)定,且具有良好的耐熱性,熱源變化時,功率密度變化較小;

4.蒸發(fā)源對膜材料的"濕潤性"好.

電子束加熱蒸發(fā)源

優(yōu)點(diǎn):

1.與電阻加熱源相比可以減少污染;

2.能量集中,使膜料局部表面受到很高的溫度,而其它部分的溫度低.因此,可使高熔點(diǎn)(可以高達(dá)3000℃)的材料蒸發(fā),且有較高的蒸發(fā)速率;

3.可以準(zhǔn)確、方便地控制蒸發(fā)溫度;

4.有較大的溫度調(diào)節(jié)范圍,對高、低熔點(diǎn)的膜料都適用,適用性寬,特別適合蒸鍍?nèi)埸c(diǎn)高達(dá)2000℃左右的氧化物.

缺點(diǎn):

1.通常蒸鍍的膜層較薄;

2.蒸鍍的薄膜組分復(fù)雜.

激光蒸發(fā)源

優(yōu)點(diǎn):

1. 能蒸發(fā)任何高熔點(diǎn)材料,可以蒸發(fā)各種材料,且獲得很高的蒸發(fā)速率；

2. 與電阻加熱蒸發(fā)源相比可以減少鍍膜受污染;

3. 非常適合于蒸發(fā)化合物或合金;

4. 與電子束蒸發(fā)源相比,它避免了電子束蒸發(fā)膜面帶電的缺點(diǎn).
   

缺點(diǎn):

1. 長時間工作,激光進(jìn)入鐘罩窗口處的透鏡會受到影響;

2. 激光蒸發(fā)器比較昂貴,且并非對所有材料都顯示其優(yōu)越性;
   

3. 由于蒸發(fā)材料溫度太高,蒸發(fā)粒子(原子、分子、簇團(tuán)等)多易離子化,從而會對膜結(jié)構(gòu)和特性產(chǎn)生一定影響.

高頻感應(yīng)蒸發(fā)源

優(yōu)點(diǎn):

1. 它是面蒸發(fā),蒸發(fā)速率大,可以比電阻蒸發(fā)源大10倍左右;

2. 蒸發(fā)源的溫度混勻穩(wěn)定,不易產(chǎn)生飛濺現(xiàn)象;
   

3. 蒸發(fā)源一次裝料,無需送料機(jī)構(gòu),溫度控制較容易,操作比較簡單.

缺點(diǎn):

1.因?yàn)榻佑|易造成污染

2.只能蒸發(fā)導(dǎo)電的膜料

3.設(shè)備必須屏蔽,且需要復(fù)雜和昂貴的高頻發(fā)生器.